米中貿易戦争で中国のすべてのメモリ工場が非効率になる可能性がある

現在進行中の米中貿易戦争は多面的な性質を持っているため、何十もの業界、何万もの企業に影響を与えており、また今後も影響を与えると考えられます。米国は中国国内に最先端の装置を設置することを望んでいないため、2つの大国の対立は、中国国内のすべてのコンピューター・メモリー・ファブを、国外の施設に比べて非効率なものにしてしまう可能性があるそうです。ロイター通信によると、これはすでにSK Hynixの無錫工場の計画に影響を与えています。

SK Hynixの無錫にあるC2半導体工場は、同社のDRAM生産量のかなりの部分と一部のNANDメモリを生産しています。ここ数年、SK Hynixは同工場のクリーンルームを一度は拡張しましたが、次世代DRAMのプロセス技術を導入するためには、EUV（極端紫外線）リソグラフィ装置などの最新鋭の機械を導入する必要があります。しかし、これにはいくつかの問題がありそうだとロイターが報じました。

米国政府が特に懸念しているのは、中国が極端紫外線露光装置などの最先端の半導体製造技術を手に入れることです。米国政府は、オランダのASML社が中国の企業に同社のEUVツールを販売することを直接禁止することはできませんが、トランプ政府はオランダ当局を説得して、ASML社のTwinscan NXEツールのSemiconductor Manufacturing International Co. (SMIC）へのASMLのTwinscan NXEツールの輸出を、数年前にワッセナー・アレンジメントを理由にオランダ当局を説得したという。どうやら、SK HynixのC2工場向けのEUV装置にも同じことが言えそうです。

VLSIresearch社の最高経営責任者であるDan Hutcheson氏は、同通信社とのインタビューの中で、「彼らは本当に中国の岩と米国の難所の間に挟まれている」と述べました。「EUVツールを中国に置く人は、中国に能力を与えることになります。EUVツールを中国に置く人は、中国に能力を与えてしまうことになります。一旦そこに置かれたら、その後はどこに行くかわかりません。中国はいつでもそれを奪うことができるし、何をしてもいいのです」。

SK HynixやSamsung Electronicsの次世代DRAM生産技術にはEUV露光装置が使用されており、これがないと無錫工場は新しいノードを採用して先進的なDRAM製品（大容量のDDR5やLPDDR5/LPDDR5Xデバイスなど）を生産することができません。その結果、遅かれ早かれ、EUV装置が導入されている韓国や台湾のDRAM生産拠点に比べて、経済的効率が著しく低下することになります。これは、SK Hynixだけでなく、中国にもDRAM生産能力を持つSamsungも同様です。最終的には、中国のDRAMメーカーもEUVツールで工場をアップグレードすることができなくなり、海外のライバル企業よりも競争力が低下してしまいます。

中期的な解決策として、SK HynixはC2工場を3D NANDの生産に再利用する可能性があります。なぜなら、現在SK HynixのフラッシュメモリはEUVリソグラフィを必要としないからです。しかし、長期的には3D NANDもEUVツールに移行するため、再び工場を再利用する必要があります。例えば、CMOSイメージセンサーやその他の成熟したプロセス技術を用いたチップの生産などです。

SK Hynixは記事についてコメントしていません。ASMLは、すべての輸出管理法を遵守しているとしながらも、輸出管理の広範な使用は、半導体のサプライチェーン問題や世界のチップ供給を悪化させる恐れがあると警告しています。