5nm EUV Plusは、極端紫外線リソグラフィ（EUV）を改良した最先端の半導体製造プロセスです。高NAEUVとマルチパターニングの組み合わせにより、実効5nmノードで従来比30%の密度向上を実現します。
5nm EUV Plusは、極端紫外線リソグラフィ（EUV）を改良した最先端の半導体製造プロセスです。高NAEUVとマルチパターニングの組み合わせにより、実効5nmノードで従来比30%の密度向上を実現します。
仕様:
開口数: 0.55 NA
波長: 13.5nm
解像度: 8nm
スループット: 200WPH
マスク: 新型ペリクル
Enhanced FinFET：
| 工程 | 従来5nm | 5nm EUV+ | 改善率 | |------|---------|----------|--------| | リソグラフィ | 85% | 92% | +7% | | エッチング | 90% | 94% | +4% | | 全体歩留まり | 70% | 82% | +12% |
def wafer_cost_analysis():
base_cost = 20000 # USD per wafer
die_size = 100 # mm²
dies_per_wafer = 600
yield_rate = 0.82
cost_per_die = base_cost / (dies_per_wafer * yield_rate)
return cost_per_die # ~$40.65
5nm EUV Plusは、ムーアの法則を延命させる重要な技術です。製造コストは高いものの、性能と電力効率の大幅な改善により、ハイエンド製品での採用が加速しています。2026年には主流プロセスとなる見込みです。