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NAND Page/Block 構造(ナンドページブロックコウゾウ)

NAND フラッシュメモリのアクセス単位構造。Page (4-16KB、読込/書込最小単位) と Block (128-512 Pages、消去最小単位) の二階層構造を持ち、書込前に必ずブロック単位消去が必要な特殊な制約から、SSD コントローラの Garbage Collection・FTL アルゴリズムが必要になる根本的特性。

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2026/5/11 更新
関連タグ
NAND Page
NAND Block
Garbage Collection
FTL
Write Amplification

概要

NAND Page/Block 構造は、NAND フラッシュメモリのアクセス単位構造で、Page (4-16KB、読込/書込最小単位) と Block (128-512 Pages、消去最小単位) の二階層構造を持つ NAND フラッシュ固有の物理的特性です。重要なのは「書込前に必ずブロック単位の消去が必要」という NAND の物理的制約で、Page は読込・書込可能ですが消去はできず、Block 単位でしか消去できません。この特殊な制約により、SSD は HDD と異なる FTL (Flash Translation Layer)・Garbage Collection (ガベージコレクション)・Wear Leveling などの複雑な内部処理が必要となり、Write Amplification (実書込量がホスト書込量より大きくなる現象)・SLC Cache (動的に TLC/QLC セルを SLC モードで使用)・TRIM コマンド (削除済みデータ通知) などの SSD 固有概念の源流となっています。

主な特徴・仕組み

  • Page: 読込/書込最小単位、4KB-16KB (世代別)
  • Block: 消去最小単位、128-512 Pages = 512KB-8MB
  • 書込制約: 空 Page にのみ書込可能、上書き不可
  • 消去制約: Block 単位のみ、Page 単位消去不可
  • OOB (Out-of-Band): 各 Page の ECC・メタデータ領域
  • Plane: 複数 Block を並列処理する単位、Multi-plane で並列性向上
  • Die: 複数 Plane で構成、NAND チップの単位
  • 書込シーケンス: 1. 新しい空 Page に書込 → 2. 古い Page を「無効」マーク → 3. Block 内有効 Page を別 Block に移動 → 4. 元 Block 消去 (Garbage Collection)
  • FTL: 論理 LBA を物理 Page にマッピング、コントローラが管理
  • TRIM: OS が削除済みデータ通知、Garbage Collection 効率化

スペック比較表 (NAND 世代別 Page/Block サイズ)

世代プロセスPageBlockPages/Block
SLC (旧)50nm2KB128KB64
MLC (旧)25nm4KB512KB128
TLC20nm-3D8KB2MB256
3D TLC (V-NAND 9)N5/N316KB4MB256
QLC3D N516KB8MB512

具体例・対応技術 / 関連概念

  • Garbage Collection: 無効 Page を含む Block を空き Block に統合、消去
  • Wear Leveling: 全 Block の P/E Cycle 均一化
  • Write Amplification: ホスト 1MB 書込で SSD 内部 1.5-3MB 書込発生
  • SLC Cache: TLC/QLC セルを SLC モード (1bit/cell) で高速書込、後 TLC 化
  • TRIM: OS が削除データを SSD に通知、Garbage Collection 最適化

自作PCでの選び方・注意点

NAND Page/Block 構造は SSD 内部実装の根本ですが、エンドユーザーが直接意識する場面は少ないものの、SSD 性能特性を理解する重要な基盤知識です。Sequential Write 性能 (連続書込) と Random Write 性能 (4K ランダム書込) が大きく異なる理由が Page/Block 構造に由来、Garbage Collection の負荷でランダム書込性能が変動します。SSD の空き容量を 20-30% 確保することで Garbage Collection が効率動作し、性能維持が可能 (Over-Provisioning) ・空き容量 10% 以下で性能急落のリスク。Linux で fstrim -av ・Windows で「ドライブの最適化」(SSD 用) でトリム実行が定期的に必要 (現代 OS は自動)。SSD 寿命延伸のために 4K アライン (パーティション開始位置を Block 境界に合わせる) は現代 OS で自動だが、レガシー (Windows XP) では手動設定必要。

関連用語との違い

  • HDD セクタ/トラック: HDD の物理構造、NAND と全く異なる
  • DRAM ロウ/カラム: DRAM の物理構造、NAND と異なる原理
  • FTL: NAND Page/Block を抽象化するソフトウェア層

よくある質問(FAQ)

Q1: なぜ NAND は上書き不可? A: NAND の物理特性、フローティングゲートに電子を注入して書込・引抜きで消去するため、消去前に書込はできない仕組み。

Q2: Block 消去が遅い理由は? A: 高電圧 (18-22V) を Block 全体に長時間 (1.5-3ms) 印加する必要があるため。Page 書込 (Program、200-1000μs) より一桁遅い。

Q3: SSD 空き容量を確保すべき理由は? A: Garbage Collection の効率化、Wear Leveling の余裕、Write Amplification の削減のため。20-30% の空きが推奨値。

まとめ

  • NAND Page/Block = フラッシュメモリの二階層構造
  • Page (4-16KB) 書込・Block (512KB-8MB) 消去
  • 上書き不可制約から FTL・GC・WA・SLC Cache 等の SSD 固有概念派生
  • SSD 空き容量 20-30% 確保で性能・寿命最大化
この記事について
カテゴリーストレージ
難易度上級
作成日2026/5/11