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HBM3E（エイチビーエム スリーイー）
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2026/4/25 更新
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高帯域幅
HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）
概要
HBM3E（High Bandwidth Memory 3 Extended）は、2024年に量産が本格化した高帯域幅メモリの最新規格で、HBM3の拡張版です。AIアクセラレータやハイエンドGPU向けに設計され、従来のGDDRメモリを大きく上回る帯域幅を提供します。
主な特徴
- 帯域幅: 1.2TB/s/スタック以上（HBM3の約1.5倍）
- 容量: 36GB/スタック（24Gbダイ×12段積層）
- データレート: 9.2〜9.6Gbps/pin
- インターフェース: 1024ビット幅（従来同様）
- 電力効率: HBM3比で約2倍向上
採用製品（2025〜2026年）
| 製品 | メーカー | HBM3E構成 | 用途 |
|---|---|---|---|
| NVIDIA H200 | NVIDIA | 141GB HBM3E | AI学習・推論 |
| NVIDIA B200 | NVIDIA | 192GB HBM3E | 生成AI |
| AMD MI325X | AMD | 256GB HBM3E | AIアクセラレータ |
| AMD MI350 | AMD | 288GB HBM3E | 大規模言語モデル |
主要サプライヤ
- SK hynix: 2024年3月にNVIDIA向け量産開始、市場シェア最大
- Samsung: 2024年後半から量産、NVIDIA向け認証取得
- Micron: 8層HBM3Eから量産、12層版は2025年
GDDR7との違い
HBM3Eはスタック構造で超高帯域を実現しますが、実装コストが高く製造難易度も高いため、データセンター向けに限定されます。GDDR7は32Gbpsのピンスピードで従来のGDDR路線を継承し、コンシューマGPU（RTX 50シリーズなど）に搭載されます。
関連用語
- HBM3（前世代）、HBM4（次世代、2026年予定）
- TSV（Through-Silicon Via、貫通電極）
- CoWoS（TSMCの2.5Dパッケージング技術）