Intel 18A (1.8nm 相当・2024)（インテル18エー）
Intel 2024年8月リリース予定の最先端1.8nm 相当プロセス。RibbonFET (GAA) + PowerVia (Backside Power Delivery)・Panther Lake (2025) / Clearwater Forest (2025) 採用、TSMC N2 競合のIntel 復活戦略の核心技術。
概要
Intel 18A は2024年8月Intel が技術発表した最先端1.8nm 相当 (Intel 18A) 半導体プロセス。RibbonFET (Intel版GAA・Gate-All-Around トランジスタ・FinFET 後継) + PowerVia (Backside Power Delivery・基板裏側電源配線・面積効率 +5-10%) の2大革新採用、Panther Lake (2025 後半・Core Ultra 300V) / Clearwater Forest (2025・Xeon サーバ) で量産化、TSMC N2 (2025) 競合のIntel 復活戦略 (「5 Nodes in 4 Years」計画) の核心技術、2026年Apple / NVIDIA / Microsoft / Broadcom 等のIFS (Intel Foundry Services) 顧客採用予定でファウンドリビジネス本格化。
Intel プロセスロードマップ
| プロセス | 旧名 | 開始 | 採用 |
|---|---|---|---|
| Intel 7 | 10nm SuperFin Enhanced | 2021 | Alder Lake / Raptor Lake |
| Intel 4 | 7nm 相当 | 2023 | Meteor Lake (Compute タイル) |
| Intel 3 | 5nm 相当 | 2024 | Granite Rapids (Xeon) |
| Intel 20A | 2nm 相当 | キャンセル (2024) | (なし) |
| Intel 18A | 1.8nm 相当 | 2024-2025 | Panther Lake / Clearwater Forest |
| Intel 14A | 1.4nm 相当 | 2026予 | 次世代 |
Intel 20A (2nm) は2024年8月キャンセル発表 → Intel 18A 直接移行 (リソース集中)。
RibbonFET (GAA トランジスタ)
Intel版GAA (Gate-All-Around):
- FinFET (3面ゲート) → GAA (全周ゲート) の革新
- 電流リーク削減
- 動作電圧低下
- スケーリング限界突破
- TSMC GAA (N2) / Samsung GAA (3nm GAE) 競合
- 「ナノシート」(Nanosheet) 構造
[FinFET (Intel 7-3)]
3面でFin (鰭) を囲うゲート
[RibbonFET / GAA (Intel 18A)]
ナノシート (リボン状) 全周をゲートが囲う
→ リーク電流大幅削減・動作電圧低下
PowerVia (Backside Power Delivery)
Intel 18A 第2の革新:
- 従来: 電源 + 信号 同一基板上配線
- PowerVia: 電源を基板裏側 (Backside) に
- 信号配線層 解放
- セル面積 +5-10% 縮小
- 電圧降下 (IR Drop) 改善
- TSMC / Samsung は2nm 世代でBackside Power 採用予定 (Intel が業界初)
Intel 18A 主要技術改善
| 改善 | 内容 |
|---|---|
| RibbonFET | 全周ゲート・リーク削減 |
| PowerVia | 裏側電源・面積効率 |
| EUV ホール露光 | High-NA EUV (一部) |
| 性能 (Intel 3比) | +15% |
| 電力効率 | -25% |
| 密度 | +30% |
| トランジスタ密度 | 約2億 / mm² |
主要採用予定製品
Intel 自社
| 製品 | 発売予定 |
|---|---|
| Panther Lake (Core Ultra 300V) | 2025 後半 |
| Clearwater Forest (Xeon) | 2025 後半 |
| Diamond Rapids (Xeon E-Core) | 2026 |
IFS (Intel Foundry Services) 顧客
| 顧客 | 採用予定 | 製品 |
|---|---|---|
| Microsoft | 2025-2026 | AI Accelerator (Cobalt 系) |
| NVIDIA | 2026 | (検討中) |
| Apple | 2027? | (未確定) |
| Broadcom | 2026 | (検討中) |
| Qualcomm | 2026 | Snapdragon (一部) |
| Ericsson | 2026 | 通信チップ |
5 Nodes in 4 Years 戦略
2021年Intel CEO Pat Gelsinger 発表:
- 2021: Intel 7 (= 10nm Enhanced)
- 2023: Intel 4
- 2024: Intel 3
- 2024-2025: Intel 20A → 18A (20A キャンセル・18A 集中)
- 2025-2026: Intel 18A 量産
「TSMC / Samsung へのキャッチアップ」を目指す野心計画・Intel 18A で「TSMC N2 と同等以上」を狙う。
TSMC vs Samsung vs Intel 比較 (2025-2026)
| プロセス | メーカ | 開始 | GAA | Backside Power |
|---|---|---|---|---|
| Intel 18A | Intel | 2025 | ◎ | ◎ |
| TSMC N2 | TSMC | 2025-2026 | ◎ | × (N2P で採用予定) |
| TSMC N1.4 | TSMC | 2027 | ◎ | ◎ |
| Samsung 3nm GAE | Samsung | 2022 (実績) | ◎ | × |
| Samsung 2nm SF2 | Samsung | 2025 | ◎ | × |
| Samsung 1.4nm SF1.4 | Samsung | 2027 | ◎ | ◎ |
Intel 18A はTSMC N2 と Samsung 2nm 競合・Backside Power で先行優位。
Intel Foundry Services (IFS) 戦略
2021年設立・2024年「Intel Foundry」改称:
- 外部顧客向けチップ製造
- TSMC / Samsung 競合
- Intel 18A が「IFS 量産化」の象徴
- Microsoft / Broadcom 等の有力顧客獲得
- 2030年世界第2位ファウンドリ目標
- 米国製造強化 (CHIPS Act 補助金)
High-NA EUV (一部採用)
Intel 18A は世界初のHigh-NA EUV 露光機 (ASML EXE:5000) 採用:
- 通常EUV: NA 0.33
- High-NA EUV: NA 0.55
- 解像度 +40%
- マスク数削減
- 1台 $400M+ (世界最高価機器)
- TSMC / Samsung も2026-2027年導入予定
主要課題
| 課題 | 内容 |
|---|---|
| 歩留り | 量産化初期は低・成熟期に向上 |
| Cost | TSMC N2 と同レベル・$10K+ / Wafer |
| IFS 競争力 | TSMC との実績差・営業面強化必要 |
| 顧客獲得 | NVIDIA / Apple 等主要顧客の本格採用待ち |
関連用語との違い
- vs Intel 3: 5nm相当 / 1.8nm相当
- vs TSMC N2: Intel / TSMC
- vs Samsung 2nm: Intel / Samsung
FAQ
Q1: 量産時期? A: 2024年Risk Production (試作) ・2025年下半期High Volume Manufacturing (量産)・Panther Lake / Clearwater Forest が初採用製品。
Q2: Apple 採用ある? A: Apple は2025-2026年TSMC N2 / N1.4 採用継続・Intel 18A 採用は2027-2028年以降の可能性・現状TSMC 強い依存。
Q3: 「1.8nm」実寸? A: 商業ノード名・実物理寸法とは異なる (FinFET / GAA 製造規則由来)・トランジスタ密度・性能で比較が実態。