Intelの2nmクラス製造プロセス技術。RibbonFETとPowerViaを採用し、性能と電力効率を大幅改善
Intelの2nmクラス製造プロセス技術。RibbonFETとPowerViaを採用し、性能と電力効率を大幅改善
Intel 20A（Angstrom世代）は、Intelが開発した革新的な2nmクラスの製造プロセス技術です。従来のFinFETからGAA（Gate-All-Around）構造のRibbonFETへ移行し、裏面電源供給技術PowerViaを組み合わせることで、トランジスタ性能を15%向上させながら消費電力を30%削減することに成功しました。2024年後半から量産を開始し、Arrow Lake製品に採用されています。
RibbonFET（GAA）トランジスタ
PowerVia（裏面電源供給）
EUV露光技術の全面採用
高性能ライブラリ
優れたゲート制御
設計柔軟性
スケーラビリティ
従来構造:
[トランジスタ層]
[信号配線 + 電源配線混在]
[基板]
PowerVia構造:
[トランジスタ層]
[信号配線専用]
[基板]
[電源配線専用]
Arrow Lake（Core Ultra 200）
Lunar Lake後継
データセンター向け
| 項目 | TSMC N3 | Intel 20A |
|---|---|---|
| トランジスタ構造 | FinFET | RibbonFET（GAA） |
| 電源供給 | 従来型 | PowerVia（裏面） |
| 密度 | 290MTr/mm² | 280MTr/mm² |
| 量産開始 | 2022年 | 2024年 |
RibbonFET製造の複雑性
PowerVia統合
歩留まり向上
Intel 20Aは、Intelが製造技術でリーダーシップを取り戻すための重要なマイルストーンです。TSMCやSamsungとの競争において、独自の技術革新により差別化を図っています。特にPowerViaは業界初の量産実装であり、今後の半導体設計に大きな影響を与えることが予想されます。