概要
QLC (Quad-Level Cell) は、SSDのNANDフラッシュメモリのセル構造の一つ。各セルに4ビットのデータを記録するため、TLC (Triple-Level Cell) よりも記録密度が高く、コストパフォーマンスに優れる。ただし、書き込み/消去サイクル寿命や動作速度はTLCに劣る傾向がある。
QLCは、各セルに4ビットの情報（0000～1111）を記録する。これにより、同じ物理的なスペースでより多くのデータを保存できる。TLC（3ビット）やSLC（1ビット）と比較して、記録密度が向上し、コストを削減できる。QLCのセルの閾値電圧を調整することで、4つの異なる電圧レベルを区別してデータを記録する。この電圧レベルの細かさが増すため、プログラム/消去（P/E）サイクル寿命が短くなる傾向がある。また、書き込み時のエラー率もTLCよりも高くなる可能性があるため、高度なエラー訂正技術が用いられる。コントローラーの役割がより重要になり、ウェアレベリングやオーバープロビジョニングといった機能がパフォーマンスを維持するために不可欠となる。