概要
TLC (Triple-Level Cell) は、NANDフラッシュメモリの一種で、各セルに3ビットのデータを格納します。これにより、同じ容量のチップ上でより多くのデータを記録できるため、コストパフォーマンスに優れますが、書き込み/消去回数（TBW）はMLCやSLCに比べて低くなります。SSDの普及を支える主要な技術の一つです。
NANDフラッシュメモリのセルには、電荷を蓄積する浮遊ゲートが設けられています。SLCではセルあたり1ビット、MLCでは2ビット、TLCでは3ビットのデータを蓄積することで、記録密度を向上させています。3ビットを記録するため、セル内の電荷量を変える精度が重要であり、エラーが発生しやすくなります。そのため、高度なエラー訂正コード（ECC）やウェアレベリングなどの技術が必須となります。コントローラーの性能やファームウェアの最適化によって、TLC SSDの寿命やパフォーマンスが大きく左右されます。
コストパフォーマンスを重視する一般的な用途（Webブラウジング、文書作成、動画視聴など）に適しています。ゲーム用途など、頻繁な書き込みが発生する用途では、耐久性の高いモデルを選択するか、MLCやSLCといったより高耐久なタイプのSSDを検討する必要があります。
書き込み/消去回数の制限（TBW）がMLCやSLCに比べて低いため、寿命が短くなる可能性があります。コントローラーの性能やファームウェアの品質によって、実際の耐久性が大きく変わるため、レビューなどを参考に適切なモデルを選ぶことが重要です。SLCキャッシュの有無もパフォーマンスに影響します。