511件の用語
Network Attached Storage家庭/業務用。Synology DS923+・DS1825+/DS1525+・QNAP TS-464・TerraMaster F4-424 Pro・UGREEN NASync DXP4800 Plus・TrueNAS Mini X+/R20・Ugreen DH4300 Plus・HexOS(Linux Mint派生NAS)が2026年代表、2.5/10GbE+NVMe Cache統合が主流。
NAS最適化HDDシリーズ。Seagate IronWolf Pro 24TB/22TB/20TB(HDSMR非採用・7200rpm・550TB/year)・WD Red Pro 24TB/WD Gold 28TB・Toshiba N300 Pro・Synology HAT5310 20TB・Western Digital Ultrastar DC HC590 30TB HAMR(2026年)が代表、24/7運用+RV sensor+TLER対応、RAID向けデザイン。
RAID 0/1/5/6/10の特徴と家庭用NASでの最適な構成の選び方
家庭/SMB NAS主要選択肢。Synology DS925+/DS1525+/DS1825+ (DSM 7.3)・QNAP TS-h973AX/TVS-h874・ASUSTOR Lockerstor 4 Gen2/Flashstor 6 Gen2・TerraMaster F6-424 Max・UGREEN NASync DXP6800 Pro・TrueNAS Mini X+ Plus (CORE 13.3/Scale 25.04 Eel)・自作 N100/N305 Mini PC + TrueNAS、¥80k-¥500k、2026年AI Photo+M.2 NVMe Cache主流。
NAND フラッシュメモリの 3 次元積層技術で、2024-2025 年に達成された 200 層超 (Samsung V9・SK Hynix V8・Micron G9・KIOXIA BiCS 8) の世代を指す。1 セル 1bit (SLC) で 2Tb/die・1 セル 4bit (QLC) で 4Tb/die の超高密度フラッシュを実現する最先端技術。
NAND フラッシュメモリのエラー訂正符号 (Error Correcting Code)。BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem、1959-) と LDPC (Low-Density Parity-Check、1962/2000 年代復活) の二大方式で、NAND 物理エラー (Read Disturb・Retention 劣化) を訂正、SSD の信頼性を 10⁻¹⁵ レベルに引き上げる必須技術。
NAND Flash データの誤り訂正符号。BCH / LDPC ベース、TLC / QLC で更に強化、データ整合性とNAND 寿命を支える基盤技術。
NAND Flash密度方式。SLC(1bit・P/E 100k+・絶滅危惧・Industrial pSLC)・MLC(2bit・Plextor M8P・古い)・TLC(3bit・P/E 3k・2026年主流)・QLC(4bit・P/E 1k・大容量)・PLC(5bit・試作段階・Kioxia開発中・$/TB最安)、Samsung 9100 Pro TLC・Intel D5-P5336 QLC・Crucial T705 TLCが2026年代表。
NAND フラッシュメモリのセル別ビット格納方式。TLC (3bit/cell) ・QLC (4bit/cell) ・MLC (2bit/cell) の3種類でSSD コスト + 寿命 + 速度の3トレードオフ.
NAND フラッシュメモリの書込 (Program) と消去 (Erase) を 1 セットとして計測する寿命指標。1 セルあたりの最大 P/E Cycle 回数で SSD の総書込耐久性 (TBW・DWPD) が決定される、SLC 10 万-100 万・MLC 1 万-3 万・TLC 1,000-3,000・QLC 100-1,000 回が世代別目安。
NAND Flash種別+3D Stacking。SLC 1bit/cell・MLC 2bit/cell・TLC 3bit/cell (Mainstream)・QLC 4bit/cell (大容量・廉価)・PLC 5bit/cell (実用近)・3D NAND Stacking (Samsung V9 290 Layer・SK Hynix 321L・Kioxia BiCS 8 218L・Micron G9 276L)・CBA Cell on Periphery・String Stacking・Charge Trap・¥0 知識、2026年400+ Layer量産化。
SSDの記憶素子。データを電荷として保存する不揮発性メモリ
NANDフラッシュにおける1セルあたりの記録ビット数（SLCからPLCへ）の変遷と、それに伴う容量・コスト・寿命・速度のトレードオフ関係を解説する技術用語。
NAND Flashメモリの基本記憶セル構造。Floating Gate (FG) / Charge Trap (CT) の2方式、絶縁体に電子を保持・読出してbit を表現する不揮発メモリの心臓部。
NAND フラッシュメモリのアクセス単位構造。Page (4-16KB、読込/書込最小単位) と Block (128-512 Pages、消去最小単位) の二階層構造を持ち、書込前に必ずブロック単位消去が必要な特殊な制約から、SSD コントローラの Garbage Collection・FTL アルゴリズムが必要になる根本的特性。
NAND フラッシュメモリのデータ保持限界とビット反転現象。電源を切った状態 (オフライン保存) でも電荷漏洩で徐々にビットが反転、SLC 10 年・TLC 1-2 年・QLC 6 ヶ月-1 年が世代別保持目安。長期保存用途では HDD・テープアーカイブが優位、SSD は定期的電源投入で Refresh が必要。
Two-sided High-Density フロッピーディスク。両面・高密度 (High Density、MFM 高密度記録) で 1.44MB の容量を実現する 3.5 インチフロッピー規格。1987 年 IBM PS/2 採用以降、1990 年代-2000 年代の PC・Mac の世界標準フロッピー、最も普及した形式。
Two-sided Double-Density フロッピーディスク。両面・倍密度 (Double Density、MFM 記録) で 720KB の容量を実現する 3.5 インチフロッピー規格。1981-1990 年代前半の Apple Macintosh 初期・PC-9801 初期で標準採用、2HD (1.44MB) 登場前の世界標準フロッピー規格。
Conner Peripherals が 1988 年に発表したノート PC 用小型 HDD フォーマットファクタ。3.5 インチ HDD の半分以下のサイズ・重量を実現、Compaq Portable III (1988) で初採用、ノートパソコン市場の発展を牽引し、現代まで小型 PC・ゲーム機・外付け HDD・SSD の標準フォーマットとして君臨する重要規格。
NVMe vs SATA SSD比較(2026年)。NVMe Gen5(14-15GB/s seq・1.5-2M IOPS・PCIe 5.0 x4・$22-55 per TB)・NVMe Gen4(7-7.5GB/s・1-1.4M IOPS・PCIe 4.0 x4・$10-15 per TB)・NVMe Gen3(3.5GB/s・600k IOPS・PCIe 3.0 x4・$8-12 per TB legacy)・SATA SSD(550MB/s・100k IOPS・SATA III 6Gb/s・$8-10 per TB)・実用差: Boot time NVMe<10s・SATA 15-20s・Game Loading NVMe -50% time・Photoshop large file同等・Mass storage SATA Cost-perf optimal・選択基準: Boot/App = NVMe Gen4・Game = NVMe Gen4-5・Bulk Cold = SATA・Photo Storage = HDD($4 per TB)・2026年 NVMe SATA比 mainstream完全置換、SATA legacy slot reuse only。