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RAIDはNASに搭載した複数のHDD/SSDを論理的に束ねてデータの冗長性や読み書き速度を向上させる技術で、RAID 0/1/5/6/10やSynology独自のSHRなど用途に応じた構成を選択する。
NASにPlexメディアサーバーをインストールし、保存した映画・ドラマ・音楽・写真をスマートTV・スマートフォン・PC等からストリーミング再生するシステム。自宅をプライベートなストリーミングサービスに変え、いつでもどこでも自分のメディアライブラリにアクセスできる。
NASに保存したデータをランサムウェア・誤操作・災害・ハードウェア故障から保護するための多層的なバックアップ設計。3-2-1ルールを基本に、スナップショット・ローカルバックアップ・クラウドバックアップ・オフサイトバックアップを組み合わせて包括的なデータ保護を実現する。
NASに搭載する複数のHDD/SSDを組み合わせて冗長性やパフォーマンスを確保するディスクアレイ技術。RAID 0（ストライピング）、RAID 1（ミラーリング）、RAID 5/6（パリティ分散）、SHR（Synology独自）等の構成から用途に応じて選択する。
NAS最適化HDDシリーズ。Seagate IronWolf Pro 24TB/22TB/20TB(HDSMR非採用・7200rpm・550TB/year)・WD Red Pro 24TB/WD Gold 28TB・Toshiba N300 Pro・Synology HAT5310 20TB・Western Digital Ultrastar DC HC590 30TB HAMR(2026年)が代表、24/7運用+RV sensor+TLER対応、RAID向けデザイン。
RAID 0/1/5/6/10の特徴と家庭用NASでの最適な構成の選び方
家庭/SMB NAS主要選択肢。Synology DS925+/DS1525+/DS1825+ (DSM 7.3)・QNAP TS-h973AX/TVS-h874・ASUSTOR Lockerstor 4 Gen2/Flashstor 6 Gen2・TerraMaster F6-424 Max・UGREEN NASync DXP6800 Pro・TrueNAS Mini X+ Plus (CORE 13.3/Scale 25.04 Eel)・自作 N100/N305 Mini PC + TrueNAS、¥80k-¥500k、2026年AI Photo+M.2 NVMe Cache主流。
NAND フラッシュメモリの 3 次元積層技術で、2024-2025 年に達成された 200 層超 (Samsung V9・SK Hynix V8・Micron G9・KIOXIA BiCS 8) の世代を指す。1 セル 1bit (SLC) で 2Tb/die・1 セル 4bit (QLC) で 4Tb/die の超高密度フラッシュを実現する最先端技術。
NAND フラッシュメモリのエラー訂正符号 (Error Correcting Code)。BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem、1959-) と LDPC (Low-Density Parity-Check、1962/2000 年代復活) の二大方式で、NAND 物理エラー (Read Disturb・Retention 劣化) を訂正、SSD の信頼性を 10⁻¹⁵ レベルに引き上げる必須技術。
NAND Flash データの誤り訂正符号。BCH / LDPC ベース、TLC / QLC で更に強化、データ整合性とNAND 寿命を支える基盤技術。
NAND Flash密度方式。SLC(1bit・P/E 100k+・絶滅危惧・Industrial pSLC)・MLC(2bit・Plextor M8P・古い)・TLC(3bit・P/E 3k・2026年主流)・QLC(4bit・P/E 1k・大容量)・PLC(5bit・試作段階・Kioxia開発中・$/TB最安)、Samsung 9100 Pro TLC・Intel D5-P5336 QLC・Crucial T705 TLCが2026年代表。
NAND フラッシュメモリのセル別ビット格納方式。TLC (3bit/cell) ・QLC (4bit/cell) ・MLC (2bit/cell) の3種類でSSD コスト + 寿命 + 速度の3トレードオフ.
NAND フラッシュメモリの書込 (Program) と消去 (Erase) を 1 セットとして計測する寿命指標。1 セルあたりの最大 P/E Cycle 回数で SSD の総書込耐久性 (TBW・DWPD) が決定される、SLC 10 万-100 万・MLC 1 万-3 万・TLC 1,000-3,000・QLC 100-1,000 回が世代別目安。
NAND Flash種別+3D Stacking。SLC 1bit/cell・MLC 2bit/cell・TLC 3bit/cell (Mainstream)・QLC 4bit/cell (大容量・廉価)・PLC 5bit/cell (実用近)・3D NAND Stacking (Samsung V9 290 Layer・SK Hynix 321L・Kioxia BiCS 8 218L・Micron G9 276L)・CBA Cell on Periphery・String Stacking・Charge Trap・¥0 知識、2026年400+ Layer量産化。
SSDの記憶素子。データを電荷として保存する不揮発性メモリ
NANDフラッシュにおける1セルあたりの記録ビット数（SLCからPLCへ）の変遷と、それに伴う容量・コスト・寿命・速度のトレードオフ関係を解説する技術用語。
NAND Flashメモリの基本記憶セル構造。Floating Gate (FG) / Charge Trap (CT) の2方式、絶縁体に電子を保持・読出してbit を表現する不揮発メモリの心臓部。
NAND フラッシュメモリのアクセス単位構造。Page (4-16KB、読込/書込最小単位) と Block (128-512 Pages、消去最小単位) の二階層構造を持ち、書込前に必ずブロック単位消去が必要な特殊な制約から、SSD コントローラの Garbage Collection・FTL アルゴリズムが必要になる根本的特性。
NAND フラッシュメモリのデータ保持限界とビット反転現象。電源を切った状態 (オフライン保存) でも電荷漏洩で徐々にビットが反転、SLC 10 年・TLC 1-2 年・QLC 6 ヶ月-1 年が世代別保持目安。長期保存用途では HDD・テープアーカイブが優位、SSD は定期的電源投入で Refresh が必要。
Two-sided High-Density フロッピーディスク。両面・高密度 (High Density、MFM 高密度記録) で 1.44MB の容量を実現する 3.5 インチフロッピー規格。1987 年 IBM PS/2 採用以降、1990 年代-2000 年代の PC・Mac の世界標準フロッピー、最も普及した形式。