用語集

概要

メモリの動作速度を決定する各種遅延パラメータ。CASレイテンシなどの重要な性能指標

DRAMアクセス遅延サブタイミング。CAS Latency(tCL・列アドレス)・tRCD(Row-Column Delay)・tRP(Row Precharge)・tRAS(Row Active)・tRFC(Refresh Cycle)・tRFC2/tRFC4(DDR5)・tFAW・tWR・Command Rate 1T/2T、DDR5-6000 CL28/30・DDR5-8000 CL36/38が2026年OC狙い値、TestMem5+config設定検証。

CPUとメモリ間のデータ伝送経路の数。多いほど高速なデータ転送が可能。

DDR5 OC電圧。VDD(Memory Core・DDR5 1.1V default・OC 1.35-1.45V)・VDDQ(Memory I/O・1.1V default・1.35-1.45V)・VDDQ TX(Transmit・Intel specific・OC 1.4V)・VPP(Memory Pump・1.8V default)・SOC(System on Chip・AMD Infinity Fabric・1.25V・1.3V超危険でCPU死亡)・VDDIO/CPU VDDIO MEM(Intel・1.2V)・MC VDD(Memory Controller・1.25-1.35V)・1.45V超で寿命短縮リスク・AMD 1.3V SOC vulnerable(die burn)・2026年 CUDIMM 9200で VDDQ 1.5V必要。

メモリモジュールの動作に必要な電圧。世代により異なり、安定性とオーバークロックに重要

BIOS Memory Tuning詳細。AGESA 1.2.0.x→1.3.0.x (Zen 5/9000系最適化)・MRC Memory Reference Code (Intel)・RC Tweaks (Intel・SaFeMode Disable)・Memory Tweaker (Gigabyte)・MEMORY Profile Loader・DRAM Voltage 1.10-1.45V・SoC Voltage 1.20V Cap (Zen 5・1.30V Damage Risk)・VDDIO 1.10-1.30V・LLC Load Line Calibration Level 3-5・Ringback Compensation・Drive Strength・Power Down Mode Disable、2026年AGESA 1.3.0+Memory Boost普及。

MB Memory Topology。Daisy Chain (2DIMM Slot・OC強・8000+対応・Ryzen 9000+ Z890優位)・T-Topology (4DIMM Slot・容量重視・OC弱・96GB搭載可)・1DPC (1 DIMM per Channel・最高速)・2DPC (2 DIMM per Channel・速度低下 6400→4400)・QVL (Qualified Vendor List)・Trace Length Match・¥0 知識・選別必要、2026年OC勢Daisy Chain MB主流。

DIMM Slot取付け手順。①Latch両端解除・②Memory切欠Notch合わせ垂直押込み・③両端Latchパチッと自動Lock・④2枚: A2+B2 (CPU側遠い)・4枚: A1+A2+B1+B2 (高負荷)・MB側A1=CPU近い・XMP/EXPO BIOS有効化必須・QVL Memory推奨・JEDEC Default→XMP/EXPO Profile 1選択・⑤AM5 EXPO Standard・LGA1851 XMP 3.0・MCR Memory Context Restore有効化推奨、2026年DDR5-6400 1:1 Sweet Spot。

システム起動時にメモリコントローラーが最適な動作パラメータを決定するプロセス

POST時にメモリコントローラーが最適なタイミングを自動調整する機能

Memory Hierarchy遅延サイクル数。L1 Cache 4 cycle (~1ns)・L2 12 cycle (~3ns)・L3 LLC 30-50 cycle (~10-15ns)・DRAM DDR5-6000 80-100ns・Optane代替 PMem 200ns・NVMe Gen5 5-10μs (15000-30000 cycle)・SATA SSD 50μs・HDD 5-10ms・Network Local 100μs (LAN 1ms)・Apple UMA L3+RAM境界曖昧・¥0 知識、2026年L4 SLC普及で階層曖昧化。

概要

AI/GPU Memory Bandwidth詳細。HBM3 (3.2TB/s/stack・H100 80GB)・HBM3e (4.8TB/s/stack・H200 141GB・B200 192GB)・HBM4 8.0TB/s/stack (Rubin GR202/MI400予告 2027)・GDDR7 32Gbps/pin (RTX 5090 1.79TB/s)・GDDR6X・Apple M4 Max LPDDR5X-8533 (546GB/s UMA)・M3 Ultra (819GB/s)・LPDDR5T 9600・MR DIMM 12800、2026年HBM4 SK Hynix量産。

メモリモジュールの冷却を助ける金属製の放熱板。高速メモリで特に重要

演算器の高速化に対し、データの供給速度が追いつかない「メモリの壁」を解消するため、コスト・容量・速度のバランスを最適化しながら階層構造を再構築してきた技術的変遷。

メモリプリセット機能とは、電動昇降デスクの高さをボタン1つで記憶・再現する機能である。座位・立位それぞれの最適な高さを登録しておくことで、毎回の微調整が不要になり、スムーズな姿勢切り替えを実現する。

Memory Module Form Factor 1993-2026 (差別化: 既存DRAM規格軸ではなくモジュール物理規格+用途軸)。SIMM Single Inline Memory Module (1980年代後半・30-pin→72-pin・286/386/486)・DIMM Dual Inline Memory Module 1993 (168-pin SDRAM→184-pin DDR→240-pin DDR2/3→288-pin DDR4/5・両面信号独立)・SO-DIMM Small Outline DIMM (Notebook用 1990s・144-pin→200/204-pin DDR3→260-pin DDR4→262-pin DDR5・コンパクト)・MicroDIMM (UMPC 144-pin)・LP-DIMM Low Profile (Server)・RDIMM Registered DIMM Server (Register Buffer・最大16 ranks/CPU・大容量)+LRDIMM Load-Reduced DIMM (Memory Buffer・8 rank/DIMM 64GB+128GB+256GB)・FB-DIMM Fully Buffered (Intel Xeon 2006-2009廃止)・NVDIMM-N+NVDIMM-P+NVDIMM-F (DRAM+NAND Hybrid・Battery Backup)・3D XPoint Optane DC Persistent Memory Intel (2018-2022 Discontinued)・CAMM2 Compression Attached Memory Module (Dell 2022+JEDEC 2024 Standard・Notebook/Workstation・1 Module 128GB DDR5)・LPCAMM2 Low Power CAMM2・SOCAMM Server CAMM・CXL Compute Express Link Type 3 Memory Expander (Samsung CMM-D 2022+SK hynix 2023+Micron CXL 2024・PCIe 5.0/6.0・Memory Pooling・Disaggregated Memory)・¥¥-¥¥¥¥¥¥/Server LRDIMM、2026年CAMM2+CXL Type 3 Memory Pooling+DDR5 RDIMM RPI 256GB主流。

メモリモジュール上の独立したメモリチップグループ。容量と性能に影響

シングルランク・デュアルランクの違いと性能・互換性への影響