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CPU ダイ内蔵のメモリアクセス制御回路。DDR5 では1チャネルあたり2サブチャネル構成で帯域倍増。対応速度はCPU世代で異なり、Arrow Lake は DDR5-6400 ネイティブ。
Memory Controller Hubは、最新のCPU/GPU技術における重要な要素です。
Memtest86+やWindows診断でメモリエラーを検出・特定する方法
RAM（メモリ）モジュールを装着するマザーボード上のソケット。DDR4/DDR5などの規格により形状が異なる
メモリとCPU/GPU間のデータ転送速度。システム性能の重要な指標
DDR5 OC 手動timing調整。Step 1: XMP/EXPO base load・Step 2: tCL/tRCD/tRP/tRAS primary timings tighten(CL30→28→26)・Step 3: Secondary timings(tRRD/tFAW/tRTP/tWTR)調整・Step 4: tRFC/tREFI最終詰め(560-680/40000-65535)・Step 5: VDD/VDDQ電圧+0.05V・Karhu RAMTest 1h+ TM5 anta777 30min stability・Buildzoid/skatterbencher YouTube guide・OC Forum DDR5 thread・1usmus DRAM Calculator(Zen 4以降)・2026年 A-die 8000 CL36 詰めで Latency 56ns達成例多。
メモリの動作速度を決定する各種遅延パラメータ。CASレイテンシなどの重要な性能指標
概要
DRAMアクセス遅延サブタイミング。CAS Latency(tCL・列アドレス)・tRCD(Row-Column Delay)・tRP(Row Precharge)・tRAS(Row Active)・tRFC(Refresh Cycle)・tRFC2/tRFC4(DDR5)・tFAW・tWR・Command Rate 1T/2T、DDR5-6000 CL28/30・DDR5-8000 CL36/38が2026年OC狙い値、TestMem5+config設定検証。
CPUとメモリ間のデータ伝送経路の数。多いほど高速なデータ転送が可能。
DDR5 OC電圧。VDD(Memory Core・DDR5 1.1V default・OC 1.35-1.45V)・VDDQ(Memory I/O・1.1V default・1.35-1.45V)・VDDQ TX(Transmit・Intel specific・OC 1.4V)・VPP(Memory Pump・1.8V default)・SOC(System on Chip・AMD Infinity Fabric・1.25V・1.3V超危険でCPU死亡)・VDDIO/CPU VDDIO MEM(Intel・1.2V)・MC VDD(Memory Controller・1.25-1.35V)・1.45V超で寿命短縮リスク・AMD 1.3V SOC vulnerable(die burn)・2026年 CUDIMM 9200で VDDQ 1.5V必要。
メモリモジュールの動作に必要な電圧。世代により異なり、安定性とオーバークロックに重要
システム起動時にメモリコントローラーが最適な動作パラメータを決定するプロセス
POST時にメモリコントローラーが最適なタイミングを自動調整する機能
メモリモジュールの冷却を助ける金属製の放熱板。高速メモリで特に重要
メモリモジュール上の独立したメモリチップグループ。容量と性能に影響
シングルランク・デュアルランクの違いと性能・互換性への影響
DRAMのデータを維持するために定期的に行われる再充電プロセス
CPUがメモリにアクセスする際の遅延時間