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概要
メモリの動作速度を決定する各種遅延パラメータ。CASレイテンシなどの重要な性能指標
DRAMアクセス遅延サブタイミング。CAS Latency(tCL・列アドレス)・tRCD(Row-Column Delay)・tRP(Row Precharge)・tRAS(Row Active)・tRFC(Refresh Cycle)・tRFC2/tRFC4(DDR5)・tFAW・tWR・Command Rate 1T/2T、DDR5-6000 CL28/30・DDR5-8000 CL36/38が2026年OC狙い値、TestMem5+config設定検証。
CPUとメモリ間のデータ伝送経路の数。多いほど高速なデータ転送が可能。
DDR5 OC電圧。VDD(Memory Core・DDR5 1.1V default・OC 1.35-1.45V)・VDDQ(Memory I/O・1.1V default・1.35-1.45V)・VDDQ TX(Transmit・Intel specific・OC 1.4V)・VPP(Memory Pump・1.8V default)・SOC(System on Chip・AMD Infinity Fabric・1.25V・1.3V超危険でCPU死亡)・VDDIO/CPU VDDIO MEM(Intel・1.2V)・MC VDD(Memory Controller・1.25-1.35V)・1.45V超で寿命短縮リスク・AMD 1.3V SOC vulnerable(die burn)・2026年 CUDIMM 9200で VDDQ 1.5V必要。
メモリモジュールの動作に必要な電圧。世代により異なり、安定性とオーバークロックに重要
BIOS Memory Tuning詳細。AGESA 1.2.0.x→1.3.0.x (Zen 5/9000系最適化)・MRC Memory Reference Code (Intel)・RC Tweaks (Intel・SaFeMode Disable)・Memory Tweaker (Gigabyte)・MEMORY Profile Loader・DRAM Voltage 1.10-1.45V・SoC Voltage 1.20V Cap (Zen 5・1.30V Damage Risk)・VDDIO 1.10-1.30V・LLC Load Line Calibration Level 3-5・Ringback Compensation・Drive Strength・Power Down Mode Disable、2026年AGESA 1.3.0+Memory Boost普及。
MB Memory Topology。Daisy Chain (2DIMM Slot・OC強・8000+対応・Ryzen 9000+ Z890優位)・T-Topology (4DIMM Slot・容量重視・OC弱・96GB搭載可)・1DPC (1 DIMM per Channel・最高速)・2DPC (2 DIMM per Channel・速度低下 6400→4400)・QVL (Qualified Vendor List)・Trace Length Match・¥0 知識・選別必要、2026年OC勢Daisy Chain MB主流。
DIMM Slot取付け手順。①Latch両端解除・②Memory切欠Notch合わせ垂直押込み・③両端Latchパチッと自動Lock・④2枚: A2+B2 (CPU側遠い)・4枚: A1+A2+B1+B2 (高負荷)・MB側A1=CPU近い・XMP/EXPO BIOS有効化必須・QVL Memory推奨・JEDEC Default→XMP/EXPO Profile 1選択・⑤AM5 EXPO Standard・LGA1851 XMP 3.0・MCR Memory Context Restore有効化推奨、2026年DDR5-6400 1:1 Sweet Spot。
システム起動時にメモリコントローラーが最適な動作パラメータを決定するプロセス
POST時にメモリコントローラーが最適なタイミングを自動調整する機能
Memory Hierarchy遅延サイクル数。L1 Cache 4 cycle (~1ns)・L2 12 cycle (~3ns)・L3 LLC 30-50 cycle (~10-15ns)・DRAM DDR5-6000 80-100ns・Optane代替 PMem 200ns・NVMe Gen5 5-10μs (15000-30000 cycle)・SATA SSD 50μs・HDD 5-10ms・Network Local 100μs (LAN 1ms)・Apple UMA L3+RAM境界曖昧・¥0 知識、2026年L4 SLC普及で階層曖昧化。
AI/GPU Memory Bandwidth詳細。HBM3 (3.2TB/s/stack・H100 80GB)・HBM3e (4.8TB/s/stack・H200 141GB・B200 192GB)・HBM4 8.0TB/s/stack (Rubin GR202/MI400予告 2027)・GDDR7 32Gbps/pin (RTX 5090 1.79TB/s)・GDDR6X・Apple M4 Max LPDDR5X-8533 (546GB/s UMA)・M3 Ultra (819GB/s)・LPDDR5T 9600・MR DIMM 12800、2026年HBM4 SK Hynix量産。
メモリモジュールの冷却を助ける金属製の放熱板。高速メモリで特に重要
Memory Module Form Factor 1993-2026 (差別化: 既存DRAM規格軸ではなくモジュール物理規格+用途軸)。SIMM Single Inline Memory Module (1980年代後半・30-pin→72-pin・286/386/486)・DIMM Dual Inline Memory Module 1993 (168-pin SDRAM→184-pin DDR→240-pin DDR2/3→288-pin DDR4/5・両面信号独立)・SO-DIMM Small Outline DIMM (Notebook用 1990s・144-pin→200/204-pin DDR3→260-pin DDR4→262-pin DDR5・コンパクト)・MicroDIMM (UMPC 144-pin)・LP-DIMM Low Profile (Server)・RDIMM Registered DIMM Server (Register Buffer・最大16 ranks/CPU・大容量)+LRDIMM Load-Reduced DIMM (Memory Buffer・8 rank/DIMM 64GB+128GB+256GB)・FB-DIMM Fully Buffered (Intel Xeon 2006-2009廃止)・NVDIMM-N+NVDIMM-P+NVDIMM-F (DRAM+NAND Hybrid・Battery Backup)・3D XPoint Optane DC Persistent Memory Intel (2018-2022 Discontinued)・CAMM2 Compression Attached Memory Module (Dell 2022+JEDEC 2024 Standard・Notebook/Workstation・1 Module 128GB DDR5)・LPCAMM2 Low Power CAMM2・SOCAMM Server CAMM・CXL Compute Express Link Type 3 Memory Expander (Samsung CMM-D 2022+SK hynix 2023+Micron CXL 2024・PCIe 5.0/6.0・Memory Pooling・Disaggregated Memory)・¥¥-¥¥¥¥¥¥/Server LRDIMM、2026年CAMM2+CXL Type 3 Memory Pooling+DDR5 RDIMM RPI 256GB主流。
メモリモジュール上の独立したメモリチップグループ。容量と性能に影響
シングルランク・デュアルランクの違いと性能・互換性への影響
DRAMのデータを維持するために定期的に行われる再充電プロセス
メモリアクセスにかかる遅延時間。実効性能に大きく影響する重要指標