メモリ用語集

米 Intel 1970年10月発売の世界初 DRAM (Dynamic RAM)。1Kbit + 18 ピン + メインフレームメモリ革命・「DRAM の起点」.

BIOS メモリOC UI。ASUS Ai Tweaker > DRAM Timing Control・Primary/Secondary/Tertiary・GDM(Gear Down Mode) on/off・MSI Advanced DRAM Configuration・DRAM Frequency/Timing Mode Auto/Manual・GIGABYTE Tweaker > Advanced Memory Settings・ASRock DRAM Configuration Settings・BIOS profile export/import(USB)・Overclocking Suite Pro・Hall of Fame OC・2026年Intel/AMD OC UI差異要把握。

Windows メモリストレステスト。HCI Memtest Pro($5・Hyperthreading aware・multi-instance)・HCI Memtest Deluxe($55・Auto multi-core)・Karhu RAMTest($11・Recommended・Intel/AMD両対応)・TM5(TestMem5 OSS・anta777 profile extreme/absolute)・Prime95 Blend Test(12h safe)・RealBench(Cinebench+HandBrake+Luxrender loop)・OCCT Memory・2026年Karhu+TM5二重チェック主流。

AMD と SK Hynix が共同開発・2013 年に JEDEC 標準化された 3D 積層メモリ技術 (JESD235)。複数の DRAM ダイを Through-Silicon Via (TSV) で垂直接続・1024-bit 超広帯域インタフェースで HBM 1 世代 128GB/s/stack を実現、GPU・AI アクセラレータ・HPC 専用メモリとして革新的技術。

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次世代AIアクセラレータ向けに開発された、超広帯域・大容量を実現する積層型メモリ規格。従来のHBM3から転送速度を大幅に向上させ、大規模言語モデル（LLM）の演算性能を支える中核技術。

HBM4は、2025年Q1のJEDEC標準化を見据えた次世代超広帯域メモリ規格。バス幅を従来の1024bitから2048bitへ倍増させ、AI計算におけるデータ転送のボトルネック解消を目指す。

2026年量産予定のHBM4 高帯域メモリ。HBM3e (1.2 TB/s) 後継として1.5-2.0 TB/s + 16-Hi積層 + 32-64 GB/stack + 2,048-bit interface。3D TSV + CoWoS Packaging統合でAI Accelerator直近メモリ。

次世代の超広帯域メモリ規格。HBM3eの後継としてJEDECでの標準化が進められており、インターフェース幅の大幅な拡大により、AI計算に不可欠な圧倒的なデータ転送能力を実現する。

HBM(High Bandwidth Memory) Server GPU memory。HBM3(2022年-・1024-bit IO・3.2-6.4Gbps・per-stack 819GB/s)・HBM3e(Extended・8.0-9.2Gbps・1.2TB/s・H200/B200/MI300X採用)・8-Hi stack(8 die・24GB)・12-Hi stack(36GB・MI300X 192GB total)・HBM4(JEDEC 2024年-・2048-bit IO・1.8TB/s/stack)・SK Hynix/Samsung/Micron供給・Rubin R100 HBM4 288GB・GB200 192GB HBM3e・$25-50k per GPU・2026年 HBM4 16-Hi 64GB予想、AI training memory bottleneck緩和。

概要

JEDEC が 2022 年 1 月に標準化した HBM 第 3 世代 (JESD238)。HBM2e の 3.6Gbps から 6.4Gbps に速度倍化、最大 819GB/s/stack・最大 24GB/stack・電圧 1.1V (HBM2 1.2V から省電力化) を実現、NVIDIA H100 (2022)・AMD MI300X (2023)・Google TPU v5 で標準採用された AI 革命中核 DRAM。

High Bandwidth Memory 第3-3.5世代。819GB/s-1.225TB/s/stack の超高帯域DRAM、NVIDIA H100/H200/Blackwell・AMD MI300X等AI GPUの心臓部。

高帯域GPUメモリ第3世代。HBM3(Samsung/SK hynix/Micron・819GB/s)・HBM3E(1.2TB/s・RTX 6000 Ada・NVIDIA H200 141GB)・HBM4(2026年Q3サンプル・2TB/s)・TSV積層16-hi・1024-bit interface・Base Die 12nm Logic・2048-bit(HBM4)・SK hynix MRDIMM Gen 2対応、NVIDIA B200 192GB・AMD MI325X 256GB(HBM3E)搭載。

JEDEC が 2016 年 1 月に標準化した HBM 第 2 世代 (JESD235A)。HBM1 の 1Gbps から 2Gbps に速度倍化、最大 256GB/s/stack・最大 8GB/stack を実現、NVIDIA Tesla P100 (2016) ・V100 (2017) ・A100 (2020) などの AI 学習 GPU で標準採用された 2016-2022 年の HPC/AI アクセラレータの主役。

High Bandwidth Memory 2 Enhanced。超高帯域幅を実現する積層メモリ技術

High Bandwidth Memory 4世代(JEDEC JESD270-4・2025年策定)。2048bit I/O・13GT/s・2TB/s帯域・最大64GB/stack・24Hi積層、Samsung HBM4・SK hynix HBM4・Micron HBM4が量産開始、NVIDIA Rubin GPU(2026 Q4)・AMD Instinct MI400(2026年)搭載予定。

第4世代高帯域幅メモリ。2TB/s以上の帯域幅を実現し、AI/HPC向けに最適化された次世代メモリ技術

JEDEC が 2026 年に標準化予定の HBM 第 4 世代。12Gbps/pin・最大 1.5TB/s/stack・最大 64GB/stack・電圧 1.0V (HBM3 1.1V から省電力化)・2048-bit インタフェース (HBM3 1024-bit の倍) で AI アクセラレータの帯域・容量を 2 倍化、次世代 NVIDIA Rubin (2026) ・AMD MI400X (2026)・Google TPU v6 で標準採用予定の最新 DRAM。

次世代メモリ展望。HBM4(2026年Q2 JEDEC JESD270・2TB/s・2048-bit bus・Samsung/SK hynix/Micron)・HBM4e(2027年)・GDDR7X(36Gbps・2026年)・DDR6(2027-2028年・12800-17600MT/s・PAM3・on-die ECC強化)・LPDDR6(9600-14400MT/s・2025年JEDEC)・SOCAMM(サーバ用LPCAMM2)・3D DRAM(Samsung AI Memory・2027年)対応、2026年HBM4大量投入。